用阳极氧化方法制备TiO2纳米管阵列的方法

    申请号：200710062634.x

    名称：用阳极氧化方法制备tio2纳米管阵列的方法

    公开(公告)号：cn101016637

    主分类号：c25d3/28(2006.01)i

    申请(专利权)人：清华大学

    地址：100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室

    发明(设计)人：王晓慧;杨阳;李龙土

    摘要

    本发明涉及用阳极氧化方法制备tio2纳米管阵列的方法，属于光电功能薄膜技术领域。所述方法以二甲基甲酰胺和氢氟酸为主要原料配制成有机电解液，通过阳极氧化反应在钛箔片上生长出管长超过20微米，管径超过100纳米，长径比可以达到200以上的tio2纳米管阵列。所述有机电解液中氢氟酸的质量百分比为0.1～5％质量分数，所述电压为10～40伏特，所述阳极氧化反应时间大于5小时。该方法适用于制造各种光电化学器件，在光能利用、绿色能源开发、污水处理等工业领域有着广泛的应用前景。